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第Ⅱ卷(必做120分+选做32分，共152分)
【必做部分】
23(12分)2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”救应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。若图l为某磁敏电阻在室温下的电阻一磁感应强度特性曲线，其中RB,R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。
(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响)。要求误差较小。
提供的器材如下：
A磁敏电阻，无磁场时阻值Ro=150Ω
B滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C电流表．量程2.5mA，内阻约30Ω
D电压表，量程3V，内阻约3kΩ
E直流电源E，电动势3V，内阻不计
F开关S，导线若干
(2)正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=________Ω，
结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=_________T。
(3)试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻直的变化规律有何不同?
(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻一磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称)，由图线可以得到什么结论?
(1)如右图所示
(2)1500 0.90
(3)在0～0 2T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化(或不均匀变化);在0.4～1.0T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化(或均匀变化)
(4)磁场反向．磁敏电阻的阻值不变。
24(15分)某兴趣小组设计了如图所示的玩具轨道，其中“2008”四个等高数字用内壁光滑的薄壁细圆管弯成，固定在竖直平面内(所有数字均由圆或半圆组成，圆半径比细管的内径大得多)，底端与水平地面相切。弹射装置将一个小物体(可视为质点)以Va=5m/s的水平初速度由a点弹出，从b点进入轨道，依次经过“8002”后从p点水平抛出。小物体与地面ab段间的动摩擦因数μ=0.3，不计其它机械能损失。已知ab段长L=l.5m,数字“0”的半径R=0.2m，小物体质量m=0.0lkg，g=10m／s2。求：
(1)小物体从p点抛出后的水平射程。
(2)小物体经过数字“0”的最高点时管道对小物体作用力的大小和方向。
解：(1)设小物体运动到p点时的速度大小为v，对小物体由a运动到p过程应用动能定理得 
小物体自P点做平抛运动，设运动时间为t．水平射程为s，则
②
s=vt③
联立①②③式，代入数据解得s=0.8m④
(2)设在数字“0”的最高点时管道对小物体的作用力大小为F取竖直向下为正方向
⑤
联立①⑤式，代入数据解得
F=0.3N⑥
方向竖直向下
25(I 8分)两块足够大的平行金属极板水平放置，极板间加有空间分布均匀、大小随时间周期性变化的电场和磁场，变化规律分别如图1、图2所示(规定垂直纸面向里为磁感应强度的正方向)。在t=0。时刻由负极板释放一个初速度为零的带负电的粒子(不计重力)。若电场强度E0、磁感应强度B0、粒子的比荷
均已知，且
，两板间距h=
。
(1)求粒子在0～to时间内的位移大小与极板间距h的比值。
(2)求粒子在极板间做圆周运动的最大半径(用h表示)。
(3)若板间电场强度E随时间的变化仍如图l所示，磁场的变化改为如图3所示，试画出粒子在板间运动的轨迹图(不必写计算过程)。
解法一：(1)设粒子在o～to时间内运动的位移大小为s1
① 
② 又已知
联立①②式解得
③
(2)粒子在to～2to时间内只受洛伦兹力作用．且速度与磁场方向垂直，所以粒子做匀速圆周运动。设运动速度大小为v1，，轨道半径为R1，周期为T，则
④ 
⑤
联立④⑤式得
⑥又 
⑦ R r。鬻⑦
即粒子在t。～2to时间内恰好完成一个周期的圆周运动。在2t。～3to时间内，粒子做初速度为v1的匀加速直线运动，设位移大小为s2
⑧
解得
⑨
由于s1+s2<h，所以粒子在3to～4to时间内继续做匀速圆周运动，设速度大
小为v2，半径为R2
v2=v1+at0⑩
由于s1+s2十R2<h，粒子恰好又完成一个周期的圆周运动。在4t。～5t。时间内，粒子运动到正极板(如图l所示)。因此粒子运动的最大半径
。
(3)粒子在板间运动的轨迹如图2所示。
解法二：由题意可知，电磁场的周期为2t0，前半周期粒子受电场作用做匀加速直线运动．加速度大小为方向向上
后半周期粒子受磁场作用做匀速圆周运动，周期为T
粒子恰好完成一次匀速圆周运动。至第n个周期末，粒子位移大小为sn
由以上各式得
粒子速度大小为 
粒子做圆周运动的半径为 
解得 
显然s2+R2<h<s3
(1)粒子在0～t0时间内的位移大小与极板间距h的比值
(2)粒子在极板闻做圆周运动的最大半径 
(3)粒子在板间运动的轨迹图见解法一中的图2。
26(19分)番茄(2n=24)的正常植株(A)对矮生植株(a)为显性，红果(B)对黄果(b)为显性，
两对基因独立遗传。请回答下列问题
(1)现有基因型AaBB与aaBb的番茄杂交，其后代的基因型有____种。________基因型
的植株自交产生的矮生黄果植株比例最高．自交后代的表现型及比例为______。
(2)在
AA×
aa杂交中，若A基因所在的同源染色体在减数第一次分裂时不分离．产生的
雌配于染色体数目为_________，这种情况下杂交后代的株高表现型可能是________。
(3)假设两种纯合突变体X和Y都是由控制株高的A基因突变产生的，检测突变基因转录
的mRNA．发现x的第二个密码子中第二碱基由C变为u，Y在第二个密码子的第二碱
基前多了个U。与正常植株相比，__________突变体的株高变化可能更大，试从蛋白质
水平分析原因:______________.
(4)转基因技术可以使某基因在植物体内过量表达．也可以抑制某基因表达。假设A基因通过控制赤霉素的合成来控制番茄的株高，请完成如下实验设计，以验证假设是否成立。
④实验设计(借助转基因技术，但不要求转基因的具体步骤)
a分别测定正常与矮生植株的赤霉索含量和株高。
b____________________________。
c____________________________。
②支持上述假设的预期结果:____________________.·
③若假设成立，据此说明基因控制性状的方式___________________。
(l)4aaBb矮生红果：矮生黄果=3：1
(2)13或11正常或矮生
(3) YY突变体的蛋白质中氡基酸的改变比x突变体可能更多(或：x突变体的蛋白质可能只有一个氨基酸发生改变，Y突变体的蛋白质氨基酸序列可能从第一个氪基酸后都改变)。
(4)①答案一：
b.通过转基因技术，一是抑制正常植株A基因的表达，二是使A基固在矮生植株过量表达。
c.测定两个实验组植株的赤霉素含量和株高。
答案二
b.通过转基因技术，抑制正常植株A基因的表达，测定其赤霉素含量和株高。
c .通过转基因技术，使A
(答案二中b和c次序不做要求)
②与对照比较．正常植株在A基因表达被抑制后，赤霉素含量降低，株高降低；与对照比较，A基因在矮生植株中过量表达后，该植株赤霉索含量增加，株高增加。
③基因通过控制酶的合成来控制代谢途径，进而控制生物性状。
